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  • 型号: PBSS303NX,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS303NX,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS303NX,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS303NX,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS303NX,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS303NX,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 30V 5.1A SOT89两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS303NX,115-

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产品型号

PBSS303NX,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

220mV @ 255mA,5.1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 2A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-7271-6

功率-最大值

2.1W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

130 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

UPAK

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

2100 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

5.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5.1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

300 at 0.5 A at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

300 at 0.5 A at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 250 at 2 A at 2 V, 200 at 4 A at 2 V, 180 at 6 A at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

零件号别名

PBSS303NX T/R

频率-跃迁

130MHz

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