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Datasheet下载- 型号： PDTC143TU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDTC143TU,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC143TU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC143TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC143TU,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC143TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC143TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC143TU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（Digital Transistor），属于带内置偏置电阻的NPN型双极结型晶体管（BJT）。其内部集成一个4.7 kΩ输入电阻（R1）和一个47 kΩ基极-发射极电阻（R2），构成典型的“1-in-1-out”逻辑电平驱动结构。 该器件主要应用于低功耗、空间受限的数字开关场景，典型用途包括： ✅ 微控制器（MCU）I/O口直接驱动负载（如LED指示灯、小型继电器线圈、蜂鸣器等），无需外接偏置电阻，简化PCB设计； ✅ 电池供电设备（如便携式仪表、IoT传感器节点）中的电平转换与信号缓冲； ✅ 消费类电子中按键检测、状态指示、电源使能控制等逻辑接口电路； ✅ 替代传统分立BJT+电阻方案，提升生产良率与可靠性，降低BOM成本与贴片面积。 其最大集电极电流IC=100 mA，典型直流电流增益hFE≈160（IC=10 mA），支持1–5 V逻辑电平输入（兼容TTL/CMOS），饱和压降VCE(sat)低至0.15 V（IC=50 mA），具备良好开关特性与热稳定性。不适用于高频放大或大功率驱动场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC143TU,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC143TU,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6436-2 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC143TU T/R |
| 频率-跃迁 | - |
