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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NSBC143TF3T5G是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件属于NPN型晶体管,采用小型SOT-23F封装,适合高密度贴装。 其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:由于体积小、功耗低,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号开关和电平转换电路。 2. 电源管理与逻辑控制:在DC-DC转换器、负载开关、电源使能控制等电路中,作为驱动或开关元件,利用其预偏置电阻实现快速开启/关断。 3. 接口电路:常用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲和驱动,例如驱动LED、继电器或MOSFET栅极,减少外部元件数量。 4. 消费类电子产品:如电视、机顶盒、家用电器控制板中,用于数字信号开关和低功率放大。 5. 工业与汽车电子:因其良好的稳定性和温度适应性,适用于车载信息娱乐系统、传感器接口和小型继电器驱动等环境。 NSBC143TF3T5G的优势在于集成两个偏置电阻(通常为基极与发射极之间及基极输入端),无需外接偏置网络,提高了可靠性并节省PCB空间。同时,该器件符合AEC-Q101车规标准,具备高可靠性,适合对稳定性要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBC143TF3T5G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |