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  • 型号: MUN2214T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MUN2214T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2214T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2214T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2214T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59。您可以下载MUN2214T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2214T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2214T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的预偏置双极型晶体管 (BJT),属于单晶体管类型。该器件通常应用于需要高精度、低噪声和稳定性能的电路中,以下是其主要应用场景:

 1. 信号放大
   - MUN2214T1G 可用于音频和射频信号的放大。由于其预偏置特性,能够提供稳定的直流工作点,适合低失真信号放大的应用。
   - 应用实例:音频前置放大器、无线通信设备中的射频信号放大。

 2. 开关电路
   - 该器件可用作开关元件,适用于低功耗开关电路。预偏置设计简化了驱动电路的设计,提高了系统的可靠性和效率。
   - 应用实例:继电器驱动、LED 驱动、小型电机控制等。

 3. 传感器接口
   - 在传感器信号调理电路中,MUN2214T1G 可以作为电流或电压放大器,将微弱的传感器信号增强到后续处理电路所需的电平。
   - 应用实例:温度传感器、压力传感器、光电二极管信号放大。

 4. 电源管理
   - 该晶体管可用于线性稳压器或负载调节电路中,提供精确的电流或电压控制。
   - 应用实例:参考电压生成、恒流源设计。

 5. 通信与网络设备
   - 在通信领域,MUN2214T1G 的高频特性和稳定性使其成为调制解调器、路由器等设备中信号处理的理想选择。
   - 应用实例:数据通信接口、网络信号放大。

 6. 医疗电子
   - 在医疗设备中,该晶体管可应用于生物信号采集和放大,如心电图 (ECG) 或脑电图 (EEG) 设备。
   - 特点:低噪声、高增益,确保信号的准确性和可靠性。

 7. 工业自动化
   - 用于工业控制中的信号隔离和放大,例如 PLC(可编程逻辑控制器)输入输出模块。
   - 应用实例:模拟信号转换、过程控制。

 总结
MUN2214T1G 凭借其预偏置设计和高性能参数,广泛应用于信号放大、开关控制、传感器接口、电源管理以及通信等领域。其稳定的工作特性和易于集成的特点,使其成为许多精密电子系统的核心组件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 50 V Dual NPN BiPolar DRT

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2214T1G-

数据手册

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产品型号

MUN2214T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-59

其它名称

MUN2214T1GOSDKR

典型电阻器比率

0.21

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

230mW

功率耗散

338 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

MUN2214

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

-

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