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产品简介:
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DTA114YM3T5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),采用PNP结构,常用于需要简化电路设计、提高稳定性的场景。其内部集成偏置电阻,减少了外围元件需求,提高了电路可靠性。 该器件主要应用于以下领域: 1. 电源管理与开关电路:适用于DC-DC转换器、负载开关等场合,作为控制开关使用,提升系统效率和稳定性。 2. 汽车电子:因其高可靠性和良好的温度特性,广泛用于汽车控制系统中的信号处理、继电器驱动及传感器接口电路。 3. 工业控制:在PLC模块、工业自动化设备中用于信号放大、电平转换或小功率驱动。 4. 消费类电子产品:如手机充电器、LED驱动、便携式设备中的逻辑控制电路,得益于其小型封装和低功耗特性。 5. 通信设备:用于基站、路由器等通信设备中的信号切换与缓冲电路,确保信号完整性。 该晶体管采用SOT-23-3封装,体积小、易于焊接,适合高密度PCB布局。典型应用包括作为逻辑电平转换器、继电器或LED的驱动开关等。 总结而言,DTA114YM3T5G凭借其集成化设计、高稳定性和广泛应用性,是多种电子系统中实现高效、紧凑设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DTA114YM3T5G |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-723 |
功率-最大值 | 260mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |