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BC639-16ZL1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC639-16ZL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC639-16ZL1G价格参考。ON SemiconductorBC639-16ZL1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载BC639-16ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC639-16ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC639-16ZL1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。其典型应用场景包括: 1. 开关电路:常用于电源开关、继电器驱动、LED控制等数字或脉冲电路中,利用其快速开关特性实现负载的通断控制。 2. 信号放大:适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路,如前置放大器、音频放大模块等,发挥其良好的电流增益性能。 3. 电源管理:在DC-DC转换器、稳压电路或电流调节电路中作为调整元件使用,配合其他器件实现电压或电流的稳定输出。 4. 工业控制与消费电子:广泛应用于家电控制板、电机驱动、照明控制、电源适配器等设备中,承担信号处理或功率驱动功能。 该型号为无铅(Pb-free)环保设计(后缀“G”表示符合RoHS),适合自动化贴装,具有可靠的热稳定性和电气性能,适用于工业环境及大批量电子产品制造。由于其合理的电流(最大Ic=1A)和电压(Vceo=80V)参数,BC639-16ZL1G在兼顾性能与成本的应用中表现优异,是通用模拟与数字电路中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC639-16ZL1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC639-16ZL1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | BC639-16ZL1G-ND |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | BC639 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |