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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE210G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE210G价格参考。ON SemiconductorMJE210G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE210G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE210G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE210G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它是一种NPN型功率晶体管,适用于多种电子电路中的开关和放大应用。以下是 MJE210G 的一些典型应用场景: 1. 功率放大器 - MJE210G 可用于音频功率放大器中,作为输出级的驱动晶体管。其高电流处理能力和良好的增益特性使其能够高效地放大信号,适合驱动扬声器或其他负载。 2. 开关电路 - 在需要大电流控制的应用中,MJE210G 可用作开关晶体管。例如,在继电器驱动、电机控制或LED驱动电路中,它可以快速切换状态,实现对负载的开/关控制。 3. 电源管理 - MJE210G 能够在直流-直流转换器或线性稳压器中发挥作用,帮助调节电压和电流输出。它的高耐压能力(集电极-发射极击穿电压可达 150V)使其适用于较宽范围的电源电压。 4. 电机驱动 - 该晶体管可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供足够的电流来启动和运行电机。其低饱和电压特性有助于提高效率并减少热量损耗。 5. 信号放大 - 在工业或消费电子设备中,MJE210G 可用于信号放大电路,将微弱的输入信号增强到更高的电平,以满足后续处理或传输的需求。 6. 保护电路 - MJE210G 还可用于过流保护或短路保护电路中,通过检测异常电流并切断电路来保护其他敏感元件。 特点总结: - 高电流能力(最大集电极电流为 15A) - 高耐压能力(150V 集电极-发射极击穿电压) - 较低的饱和电压(有助于提高效率) - 宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C) 总之,MJE210G 是一种性能可靠的 NPN 功率晶体管,广泛应用于需要高电流、高电压处理能力的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 40V 5A TO225AA两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE210G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE210G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.8V @ 1A,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 45 @ 2A,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | MJE210GOS |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 8 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-225-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 系列 | MJE210 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 65MHz |