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  • 型号: MJE210G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE210G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE210G价格参考。ON SemiconductorMJE210G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE210G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE210G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE210G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它是一种NPN型功率晶体管,适用于多种电子电路中的开关和放大应用。以下是 MJE210G 的一些典型应用场景:

 1. 功率放大器
   - MJE210G 可用于音频功率放大器中,作为输出级的驱动晶体管。其高电流处理能力和良好的增益特性使其能够高效地放大信号,适合驱动扬声器或其他负载。

 2. 开关电路
   - 在需要大电流控制的应用中,MJE210G 可用作开关晶体管。例如,在继电器驱动、电机控制或LED驱动电路中,它可以快速切换状态,实现对负载的开/关控制。

 3. 电源管理
   - MJE210G 能够在直流-直流转换器或线性稳压器中发挥作用,帮助调节电压和电流输出。它的高耐压能力(集电极-发射极击穿电压可达 150V)使其适用于较宽范围的电源电压。

 4. 电机驱动
   - 该晶体管可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供足够的电流来启动和运行电机。其低饱和电压特性有助于提高效率并减少热量损耗。

 5. 信号放大
   - 在工业或消费电子设备中,MJE210G 可用于信号放大电路,将微弱的输入信号增强到更高的电平,以满足后续处理或传输的需求。

 6. 保护电路
   - MJE210G 还可用于过流保护或短路保护电路中,通过检测异常电流并切断电路来保护其他敏感元件。

 特点总结:
- 高电流能力(最大集电极电流为 15A)
- 高耐压能力(150V 集电极-发射极击穿电压)
- 较低的饱和电压(有助于提高效率)
- 宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)

总之,MJE210G 是一种性能可靠的 NPN 功率晶体管,广泛应用于需要高电流、高电压处理能力的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 40V 5A TO225AA两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE210G-

数据手册

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产品型号

MJE210G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.8V @ 1A,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

45 @ 2A,1V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

MJE210GOS

功率-最大值

15W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

8 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

65 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TO-225-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

15 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

系列

MJE210

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

集电极—射极饱和电压

1.8 V

集电极连续电流

5 A

频率-跃迁

65MHz

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