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  • 型号: MSD1819A-RT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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MSD1819A-RT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MSD1819A-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD1819A-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSD1819A-RT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 150mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)。您可以下载MSD1819A-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD1819A-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MSD1819A-RT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于中等功率的开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装,具有小型化、高可靠性的特点,适用于对空间要求较高的电子设备。

典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的信号开关与逻辑控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块;在LED驱动电路中作为开关元件,用于控制背光或指示灯的通断;还可用于小型继电器驱动、传感器信号放大及音频信号处理等模拟电路中。

由于其具备较高的直流电流增益和良好的频率响应特性,MSD1819A-RT1G也适合低频放大电路,如音频前置放大器或小信号处理模块。此外,在工业控制和汽车电子中,该晶体管可用于温度传感器接口、电机驱动辅助电路等可靠性要求较高的环境。

总体而言,MSD1819A-RT1G凭借其稳定的性能和紧凑的封装,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制等领域,特别适合需要高效开关和低功耗运行的小型化设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD1819A-RT1G-

数据手册

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产品型号

MSD1819A-RT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

210 @ 2mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-70-3(SOT323)

其它名称

MSD1819A-RT1G-ND
MSD1819A-RT1GOSTR
MSD1819ART1G

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

210

系列

MSD1819A-R

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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