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MSD1819A-RT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD1819A-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD1819A-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSD1819A-RT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 150mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)。您可以下载MSD1819A-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD1819A-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSD1819A-RT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于中等功率的开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装,具有小型化、高可靠性的特点,适用于对空间要求较高的电子设备。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的信号开关与逻辑控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块;在LED驱动电路中作为开关元件,用于控制背光或指示灯的通断;还可用于小型继电器驱动、传感器信号放大及音频信号处理等模拟电路中。 由于其具备较高的直流电流增益和良好的频率响应特性,MSD1819A-RT1G也适合低频放大电路,如音频前置放大器或小信号处理模块。此外,在工业控制和汽车电子中,该晶体管可用于温度传感器接口、电机驱动辅助电路等可靠性要求较高的环境。 总体而言,MSD1819A-RT1G凭借其稳定的性能和紧凑的封装,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制等领域,特别适合需要高效开关和低功耗运行的小型化设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD1819A-RT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MSD1819A-RT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 210 @ 2mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 其它名称 | MSD1819A-RT1G-ND |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 210 |
| 系列 | MSD1819A-R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |