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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJPF2145TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJPF2145TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJPF2145TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJPF2145TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJPF2145TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJPF2145TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),常用于功率放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要中高功率处理的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理与开关电路:FJPF2145TU可用于DC-DC转换器、电源开关和负载控制电路中,作为高电流开关元件,实现对电源的高效控制。 2. 功率放大器:在音频功率放大器或射频功率放大器中,该晶体管可作为输出级器件,提供较大的输出功率和良好的线性性能。 3. 马达驱动与继电器控制:由于其具备较高的集电极电流和耐压能力,适合用于驱动直流马达、继电器及其他电感性负载。 4. 工业控制与自动化系统:在工业控制系统中,用于信号放大、逻辑控制及执行机构的驱动,如PLC输出模块、传感器接口电路等。 5. 消费类电子产品:如电视机、音响设备、电源适配器等,用于功率调节和信号处理电路中。 该晶体管采用TO-220封装,便于散热和安装,适合在中等功率应用场景中使用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,并配合适当的散热措施以确保稳定性和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN ESVC 5A TO-220F两极晶体管 - BJT ESBC Rated NPN Power Transistor |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJPF2145TUESBC™ |
数据手册 | |
产品型号 | FJPF2145TU |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 300mA,1.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 200mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 15 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220F |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 40 W |
最大工作温度 | + 125 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 800V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | 10µA (ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 40 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | FJPF2145 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 800 V |
集电极—基极电压VCBO | 1100 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.159 V |
集电极连续电流 | 5 A |
频率-跃迁 | 15MHz |