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MJB44H11T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB44H11T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB44H11T4G价格参考。ON SemiconductorMJB44H11T4G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Surface Mount D2PAK。您可以下载MJB44H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB44H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJB44H11T4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于高压达林顿晶体管,具有高电压和高电流处理能力。该器件采用TO-263(D²PAK)表面贴装封装,适用于需要高功率开关和线性控制的应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和稳压电源中,作为高压侧开关或驱动元件,支持高效率能量转换。 2. 电机驱动:在工业控制、家电(如洗衣机、空调压缩机)和电动工具中,用于驱动继电器、电磁阀或小型电机,具备良好的电流增益和负载驱动能力。 3. 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等照明控制电路,提供稳定的开关性能和热稳定性。 4. 汽车电子:广泛应用于车载电源系统、车灯控制模块和发动机控制单元(ECU),满足AEC-Q101汽车级可靠性标准,适合严苛的车载环境。 5. 工业与消费类设备:可用于电源开关、过流保护电路和信号放大电路,尤其适合需要高耐压(VCEO高达450V)和大电流(IC可达1A)的场合。 MJB44H11T4G凭借其高可靠性、优良的热性能和符合RoHS的无铅环保设计,在工业、汽车和消费电子领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK-3两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB44H11T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJB44H11T4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | MJB44H11T4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 (D2PAK) |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MJB44H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |