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  • 型号: MJB44H11T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MJB44H11T4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJB44H11T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB44H11T4G价格参考。ON SemiconductorMJB44H11T4G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Surface Mount D2PAK。您可以下载MJB44H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB44H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJB44H11T4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道双极结型晶体管(BJT),属于高压达林顿晶体管,具有高电压和高电流处理能力。该器件采用TO-263(D²PAK)表面贴装封装,适用于需要高功率开关和线性控制的应用场景。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和稳压电源中,作为高压侧开关或驱动元件,支持高效率能量转换。

2. 电机驱动:在工业控制、家电(如洗衣机、空调压缩机)和电动工具中,用于驱动继电器、电磁阀或小型电机,具备良好的电流增益和负载驱动能力。

3. 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等照明控制电路,提供稳定的开关性能和热稳定性。

4. 汽车电子:广泛应用于车载电源系统、车灯控制模块和发动机控制单元(ECU),满足AEC-Q101汽车级可靠性标准,适合严苛的车载环境。

5. 工业与消费类设备:可用于电源开关、过流保护电路和信号放大电路,尤其适合需要高耐压(VCEO高达450V)和大电流(IC可达1A)的场合。

MJB44H11T4G凭借其高可靠性、优良的热性能和符合RoHS的无铅环保设计,在工业、汽车和消费电子领域均有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK-3两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB44H11T4G-

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产品型号

MJB44H11T4G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

MJB44H11T4GOSDKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

TO-263-3 (D2PAK)

工厂包装数量

800

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

50 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

10 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

10µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

MJB44H11

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

5 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

10 A

频率-跃迁

50MHz

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