Datasheet下载- 型号： MMBT6521LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT6521LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT6521LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT6521LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT6521LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT6521LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MMBT6521LT1G是一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型单晶体管，采用SOT-23小信号封装，适用于低电压、低电流场景。该器件具有高增益和快速开关特性，广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 典型应用场景包括： 1. 信号放大：用于音频或小信号放大电路，如前置放大器、传感器信号调理等； 2. 开关控制：在数字逻辑电路中作为电子开关，控制LED、继电器或其他小型负载的通断； 3. 电源管理：用于DC-DC转换器、电压检测电路或电源使能控制，实现低功耗设计； 4. 便携设备：常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中，用于各类接口驱动和电平转换； 5. 工业与汽车电子：因其符合AEC-Q101车规认证，也适用于汽车电子中的传感器模块、车身控制单元等非动力系统。 MMBT6521LT1G具备优良的可靠性与稳定性，工作温度范围宽（-55°C 至 150°C），适合严苛环境使用。其环保设计（无铅、符合RoHS标准）也满足现代电子产品对绿色制造的要求。综合来看，该型号是中小功率模拟与数字电路中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS NPN 25V LN SOT23两极晶体管 - BJT 100mA 40V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT6521LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT6521LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 2mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBT6521LT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | MMBT6521L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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