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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP3307DTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP3307DTU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP3307DTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJP3307DTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJP3307DTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP3307DTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其主要应用场景包括: 1. 开关电路:FJP3307DTU 可用于设计高效的开关电路,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。它能够快速切换状态,提供稳定的电流输出。 2. 信号放大:该晶体管适用于音频信号放大器和其他低噪声放大应用中,可实现对微弱信号的精准放大,确保输出信号的质量。 3. 电源管理:在一些简单的直流电源管理系统中,FJP3307DTU 能够用作电流调节或电压调整元件,帮助维持系统中的稳定工作条件。 4. 传感器接口:可用于将来自传感器的小信号转换为更大的电信号输出,以便后续处理或显示。 5. 通信设备:由于其良好的频率响应特性,FJP3307DTU 还可以应用于射频前端模块中的某些部分,如混频器或调制解调器电路。 总之,这款 BJT 晶体管凭借其出色的性能参数,在众多电子设备的设计与制造过程中发挥着重要作用。具体使用时需根据实际需求选择合适的偏置方式及外围电路配置,以达到最佳效果。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO220两极晶体管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJP3307DTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FJP3307DTU |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 2A,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 5 @ 5A,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
发射极-基极电压VEBO | 9 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 80000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 8 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 5 |
系列 | FJP3307D |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 700 V |
零件号别名 | FJP3307DTU_NL |
频率-跃迁 | - |