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- 型号： NSV1C201LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV1C201LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV1C201LT1G价格参考。ON SemiconductorNSV1C201LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV1C201LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV1C201LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV1C201LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单极双极性晶体管（BJT）。该器件属于高频、小功率晶体管，适用于各种模拟和数字电路中的信号放大与开关应用。 该晶体管常用于以下应用场景： 1. 射频（RF）和高频放大器：NSV1C201LT1G具备良好的高频特性，适合用于射频信号放大器，尤其是在无线通信系统、射频接收器前端和高频振荡器中。 2. 模拟信号放大电路：在音频放大器、传感器信号调理电路中，该晶体管可用于低噪声、高增益的模拟信号放大。 3. 开关电路：作为小功率开关元件，适用于数字电路中驱动LED、继电器、小型电机等负载。 4. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电压调节器等低功耗电源管理模块中，实现电流控制和稳压功能。 5. 汽车电子系统：因其高可靠性和稳定性，常用于车载电子设备中，如传感器接口、控制模块和车载通信系统。 6. 便携式电子设备：由于其封装小巧、功耗低，广泛应用于手机、平板电脑、穿戴设备等消费类电子产品中。 该晶体管采用SOT-23封装，便于表面贴装，适合高密度PCB设计。其高可靠性和多用途特性使其在工业控制、通信、消费电子和汽车等多个领域得到广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV1C201LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 110MHz |
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