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  • 型号: PDTA124EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTA124EU,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124EU,115价格参考¥0.11-¥0.11。NXP SemiconductorsPDTA124EU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTA124EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA124EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA124EU,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极型晶体管(BJT),属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别。其主要应用场景包括:

1. 信号放大:  
   该型号的晶体管适用于低功率信号放大电路,例如音频信号放大器、射频(RF)信号放大器等。由于其预偏置特性,可以简化电路设计并提高稳定性。

2. 开关应用:  
   PDTA124EU,115 可用作电子开关,广泛应用于数字电路中的信号切换或负载控制。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中表现良好。

3. 电源管理:  
   在一些简单的电源管理电路中,该晶体管可以用作电流调节器或电压调节器的一部分,帮助稳定输出电压或电流。

4. 传感器接口:  
   用于将传感器的微弱信号放大到可被后续电路处理的水平,例如温度传感器、压力传感器或光电传感器的信号调理电路。

5. 通信设备:  
   在低功率射频(RF)模块中,该晶体管可用于信号调制与解调、混频器或其他前端电路的设计。

6. 消费电子产品:  
   该型号适合应用于便携式设备、家用电器和玩具等需要小型化、低功耗解决方案的场景。

总结来说,PDTA124EU,115 的预偏置特性使其在设计上更加便捷,适合用于需要稳定工作点的小信号放大、开关控制以及简单的电源管理场合。其具体应用取决于电路设计需求及外围元件的搭配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA124EU,115-

数据手册

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产品型号

PDTA124EU,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-11233-2
934044110115
PDTA124EU T/R
PDTA124EU T/R-ND
PDTA124EU,115-ND

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

22 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTA124EU T/R

频率-跃迁

-

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