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型号： PDTA124EU,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PDTA124EU,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124EU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124EU,115价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsPDTA124EU,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTA124EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA124EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻（R₁=220 kΩ，R₂=220 kΩ）的 NPN 型数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）单管。其典型应用场景包括：

- 逻辑电平接口与信号切换：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）IO口驱动，将3.3V/5V TTL/CMOS逻辑电平直接转换为开关信号，控制LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极等负载，无需外接偏置电阻，简化PCB设计。

- 低功耗开关应用：最大连续集电极电流IC=100mA，VCEO=50V，适用于便携式设备、传感器模块、IoT终端中的电源管理、状态指示（如电源LED）、按键消抖或信号选通等中低电流开关场景。

- 工业与消费类电子：广泛应用于家电控制板（如洗衣机、空调主控）、打印机、POS机、LED照明驱动电路及电池供电设备中，实现可靠、低成本的电平转换与负载开关功能。

该器件具有高直流电流增益（hFE典型值达160@IC=5mA）、快速开关特性（tf≈100ns）及ESD防护能力（HBM > 4kV），兼具可靠性与易用性，特别适合空间受限、BOM精简及量产成本敏感的设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA124EU,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PDTA124EU,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	150mV @ 500µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 5mA，5V
产品种类	开关晶体管 - 偏压电阻器
供应商器件封装	SOT-323
其它名称	568-11233-2 934044110115 PDTA124EU T/R PDTA124EU T/R-ND PDTA124EU,115-ND
典型电阻器比率	1
典型输入电阻器	22 kOhms
功率-最大值	200mW
包装	带卷（TR）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-70，SOT-323
封装/箱体	SOT-323-3
峰值直流集电极电流	100 mA
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP - 预偏压
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	22k
电阻器-基底(R1)(Ω)	22k
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
零件号别名	PDTA124EU T/R
频率-跃迁	-