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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257ELT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5257ELT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5257ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5257ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5257ELT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为6.8 V(典型),容差±5%,功率额定值为200 mW(在SOT-23封装下),最大反向漏电流低(25°C时≤5 µA),响应快、温度稳定性好。 其典型应用场景包括: ✅ 电压基准与参考源:为ADC、DAC、传感器调理电路或电源管理IC提供稳定、低成本的基准电压; ✅ 过压保护(OVP):并联于敏感电路(如MCU I/O口、通信接口ESD防护后级),钳位瞬态过压(如ESD、EFT),防止器件损坏; ✅ 电源稳压/限幅:在低功耗、小电流场合(如待机电源、电池供电设备)中作简单稳压或信号电平限幅(如将5V逻辑信号钳位至6.8V以下); ✅ 反馈环路补偿:在开关电源或LDO的反馈网络中辅助设定输出电压或提升环路稳定性; ✅ 工业与消费电子:广泛用于智能电表、IoT节点、便携设备、LED驱动、汽车电子(符合AEC-Q200 Grade 1)等对可靠性与小型化有要求的场景。 该器件采用环保无铅SOT-23封装,体积小、成本优、易于自动化贴片,适合高密度PCB设计。需注意其最大工作电流应控制在额定功率范围内(Iz ≤ ~29 mA),且不适用于大电流稳压主通路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5257ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5257ELT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 58 欧姆 |