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MJF45H11G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJF45H11G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJF45H11G价格参考。ON SemiconductorMJF45H11G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 10A 40MHz 2W 通孔 TO-220FP。您可以下载MJF45H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJF45H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MJF45H11G的晶体管由ON Semiconductor生产,属于双极型晶体管(BJT)中的NPN类型。该晶体管主要设计用于高电压和高电流的应用场景,具备良好的热稳定性和耐高压能力。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理与转换:可用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为功率开关元件,适用于需要较高电压和电流处理能力的电路。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的控制电路中,作为驱动开关使用,尤其适合对负载能力要求较高的工业设备中。 3. 工业自动化控制系统:如PLC模块、继电器驱动电路等,用于放大信号或直接控制较大功率负载。 4. 汽车电子系统:如车身控制模块、照明系统或电动车窗控制电路中,因其具备较强的抗干扰能力和可靠性。 5. 消费类电子产品:如大功率LED驱动、充电器、逆变器等产品中,实现电能的有效控制与分配。 总结来说,MJF45H11G是一款适用于中高功率应用的通用型NPN双极晶体管,适合需要较高耐压和大电流承载能力的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PWR PNP 10A 80V TO-220FP两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJF45H11G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJF45H11G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | MJF45H11G-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MJF45H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |