Datasheet下载- 型号： FMMTA06TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMTA06TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMTA06TA价格参考。Diodes Inc.FMMTA06TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FMMTA06TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMTA06TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMTA06TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单类型器件。以下是其主要应用场景及特点： 1. 开关应用 - FMMTA06TA 常用于低功率开关电路中，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等场景。 - 其 NPN 结构适合用作电子开关，在数字电路中实现信号的开启与关闭。 2. 信号放大 - 该型号可以用于音频信号放大器中，处理低频小信号的放大任务。 - 在传感器信号调理电路中，FMMTA06TA 可以将微弱信号放大到可检测或处理的水平。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或线性稳压器中，FMMTA06TA 可作为辅助开关或负载调节元件。 - 它适用于简单的电流限制或过流保护电路。 4. 消费类电子产品 - 该晶体管广泛应用于家用电器（如遥控器、玩具、小型风扇）中的简单控制电路。 - 在便携式设备（如手电筒、电子秤）中，用于电池电压监测或负载驱动。 5. 工业控制 - 在工业自动化领域，FMMTA06TA 可用于 PLC 输入/输出接口的信号隔离与放大。 - 它还可用作光电耦合器的驱动晶体管，实现电气隔离。 性能特点： - 低功耗：适合对功耗要求严格的便携式设备。 - 高增益：具有较高的电流增益（hFE），能够有效放大输入信号。 - 耐热性：封装设计支持良好的散热性能，适用于轻载条件下的长时间运行。 总之，FMMTA06TA 因其成本低廉、性能稳定且易于使用的特点，成为许多低功率电子产品的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS MED NPN 80V 500MA SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMTA06TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMTA06TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | FMMTA06DKR |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 at 10 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 at 10 mA at 1 V, 50 at 100 mA at 1 V |
| 系列 | FMMTA06 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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