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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20300MR6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20300MR6T1G价格参考。ON SemiconductorNSS20300MR6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS20300MR6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS20300MR6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS20300MR6T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23封装,具有小型化、高可靠性和良好开关性能的特点。该器件主要用于低电压、低电流的信号放大与开关应用。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LED驱动或负载开关;消费类电子产品中的逻辑电平转换和小信号放大电路;各类电池供电设备中对功耗敏感的控制电路。此外,由于其良好的增益特性和快速响应能力,也广泛用于传感器信号调理、微弱信号放大及继电器驱动等工业控制场合。 该晶体管最大集电极电流达500mA,耐压值VCEO为50V,适合中等负载驱动需求。其表面贴装封装便于自动化生产,适用于高密度PCB布局。综合来看,NSS20300MR6T1G是一款性价比高、稳定性强的通用型BJT,适用于消费电子、工业控制、通信模块及家电控制板等多种中低端功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 3A 20V TSOP-6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSS20300MR6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 320mV @ 20mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1.5A,2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | NSS20300MR6T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 545mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |