Datasheet下载- 型号： MMBTA70LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA70LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA70LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTA70LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBTA70LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA70LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MMBTA70LT1G 是一款 NPN 型小信号双极晶体管 (BJT)，广泛应用于各种低功率电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关应用 - 数字逻辑电平转换：用于将低电压信号转换为高电压信号，或反之。 - 继电器驱动：通过晶体管控制继电器的通断，实现对大电流负载的开关操作。 - LED 驱动：作为开关元件，控制 LED 的亮灭或调节亮度。 2. 信号放大 - 音频信号放大：适用于低功率音频设备中的前置放大器，提升微弱信号的强度。 - 传感器信号放大：用于放大来自温度、压力或其他类型传感器的微弱电信号。 - 射频 (RF) 信号处理：在低功率 RF 应用中，可用于信号调制和解调。 3. 电源管理 - 线性稳压器：作为稳压电路中的关键元件，帮助维持输出电压的稳定性。 - 过流保护：通过检测电流大小，控制电路的通断以防止过载。 4. 通信与网络设备 - 数据传输接口：在串行通信（如 RS-232）中，用于信号电平转换或增强驱动能力。 - 调制解调器：用于信号的调制与解调过程。 5. 消费类电子产品 - 遥控器：用于红外发射电路中的信号放大与驱动。 - 玩具与游戏设备：控制电机、声音播放等功能模块。 6. 工业控制 - PLC 输入/输出模块：作为信号隔离或放大的核心元件。 - 电机驱动：用于小型直流电机的速度或方向控制。 MMBTA70LT1G 的特点包括高增益（典型值 >100）、低饱和电压和快速开关速度，使其非常适合需要高效能和稳定性的低功耗应用。同时，其 SOT-23 小型封装设计也便于在紧凑型电路板上使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP GP 40V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA70LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTA70LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBTA70LT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MMBTA70L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 4 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 125MHz |
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