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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA13LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA13LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBTA13LT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBTA13LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA13LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTA13LT3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款通用型双极结型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件常用于小功率放大和开关应用,具有良好的性价比和稳定的性能,适用于多种电子电路设计。 主要应用场景包括: 1. 信号放大电路:由于其良好的频率响应特性,MMBTA13LT3G可用于音频放大器、射频信号放大等低功率模拟信号处理电路中。 2. 开关电路:在数字电路或控制电路中作为电子开关使用,例如驱动LED、继电器、小型电机等负载。 3. 电源管理:在DC-DC转换器、稳压电路或其他电源管理系统中用于电流控制与调节。 4. 接口电路:用于不同电压电平之间的信号转换,如微控制器与外围设备之间的接口驱动。 5. 消费类电子产品:常见于家用电器、玩具、照明控制系统等对成本敏感且不需要高功率处理能力的应用场合。 6. 工业控制:用于传感器信号调理、继电器控制、报警系统等工业自动化相关的小信号处理场景。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,适合表面贴装工艺,广泛应用于中低功率电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SS DARL NPN 30V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBTA13LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10000 @ 100mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 300mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 125MHz |