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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1202S-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1202S-E价格参考。ON Semiconductor2SB1202S-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1202S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1202S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1202S-E 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它是一种 PNP 型硅晶体管,广泛应用于各种电子电路中,主要用于信号放大和开关功能。以下是其典型应用场景: 1. 音频信号放大 - 2SB1202S-E 可用于音频放大器电路中,作为前置放大器或功率放大器的一部分。它能够放大微弱的音频信号,适用于便携式音响设备、耳机放大器等。 2. 开关电路 - 在需要控制负载通断的场景中,该晶体管可以用作电子开关。例如,在继电器驱动、LED 控制或小型电机控制中,通过调节基极电流来实现负载的开启和关闭。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于简单的稳压电路或电压调节器中,配合其他元件(如电阻、电容)实现对输出电压的精确控制,适用于低功耗设备。 4. 传感器信号处理 - 在传感器信号调理电路中,2SB1202S-E 可以用于放大传感器输出的微弱信号,以便后续处理或显示。常见于温度传感器、压力传感器等应用。 5. 射频(RF)和高频电路 - 尽管该晶体管主要设计用于低频应用,但在某些特定条件下,也可以用于低功率射频电路中,例如振荡器或调制解调器。 6. 家用电器控制 - 在一些家用电器中,如风扇速度控制、灯光亮度调节等,该晶体管可以作为核心元件实现模拟或数字控制功能。 注意事项: - 使用时需注意其最大集电极电流(IC)、最大集电极-发射极电压(VCEO)以及功率耗散(Ptot)等参数,确保工作条件在其安全范围内。 - 需要根据具体应用选择合适的偏置电阻和其他外围元件,以优化性能并保证稳定性。 总之,2SB1202S-E 的应用场景非常广泛,适合需要中小型功率处理的电子设备和系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 3A 50V TP两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1202S-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1202S-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 0.7mV @ 100mA, 2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SB1202 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |