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  • 型号: BUX85G
  • 制造商: ON Semiconductor
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BUX85G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUX85G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUX85G价格参考。ON SemiconductorBUX85G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 450V 2A 4MHz 50W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUX85G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUX85G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUX85G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),常用于高功率开关和放大电路中。该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要高效能和可靠性的应用场景。

典型应用场景包括:

1. 电源开关电路:BUX85G可用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中的功率开关元件,实现高效的能量转换。

2. 马达驱动电路:在直流电机控制或继电器驱动中,作为高电流开关使用,控制负载的通断。

3. 音频功率放大器:在音响设备中用作输出级,提供较大的输出功率以驱动扬声器。

4. 工业控制系统:如PLC模块、自动化设备中的执行机构控制,实现对外部设备的高效控制。

5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或逆变器中,作为功率转换的核心元件之一。

由于其具备较高的集电极-发射极击穿电压(最高可达100V)和大电流能力,BUX85G适合于中高功率应用场合,同时需注意散热设计以确保稳定工作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB两极晶体管 - BJT 2A 450V 50W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUX85G-

数据手册

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产品型号

BUX85G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 200mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 100mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

BUX85GOS

功率-最大值

50W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

4 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

50 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

450V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

200µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

BUX85

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

450 V

集电极—基极电压VCBO

1 kV

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

4MHz

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