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BUX85G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUX85G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUX85G价格参考。ON SemiconductorBUX85G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 450V 2A 4MHz 50W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUX85G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUX85G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUX85G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),常用于高功率开关和放大电路中。该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要高效能和可靠性的应用场景。 典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:BUX85G可用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中的功率开关元件,实现高效的能量转换。 2. 马达驱动电路:在直流电机控制或继电器驱动中,作为高电流开关使用,控制负载的通断。 3. 音频功率放大器:在音响设备中用作输出级,提供较大的输出功率以驱动扬声器。 4. 工业控制系统:如PLC模块、自动化设备中的执行机构控制,实现对外部设备的高效控制。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或逆变器中,作为功率转换的核心元件之一。 由于其具备较高的集电极-发射极击穿电压(最高可达100V)和大电流能力,BUX85G适合于中高功率应用场合,同时需注意散热设计以确保稳定工作。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB两极晶体管 - BJT 2A 450V 50W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUX85G- |
数据手册 | |
产品型号 | BUX85G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 100mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | BUX85GOS |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 4 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 50 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 450V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 200µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
系列 | BUX85 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 450 V |
集电极—基极电压VCBO | 1 kV |
集电极—射极饱和电压 | 1 V |
集电极连续电流 | 2 A |
频率-跃迁 | 4MHz |