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产品简介:
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NSV60601MZ4T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于以下场景: 1. 开关电路: 作为开关元件,NSV60601MZ4T1G 可用于各种数字电路中,例如继电器驱动、LED 驱动或 MOSFET 驱动等。其快速开关特性和低饱和电压使其在高频开关应用中表现优异。 2. 信号放大: 在音频设备或其他需要小信号放大的场合,该晶体管可作为放大器的核心元件。它能够提供稳定的增益性能,适用于前置放大器或缓冲器设计。 3. 电源管理: 该型号可用于简单的线性稳压器或电流限制电路中,帮助调节输出电压或保护负载免受过流损坏。此外,在某些 DC-DC 转换器中也可用作辅助开关或控制元件。 4. 电机控制: 在小型直流电机驱动电路中,NSV60601MZ4T1G 可以用来实现电机的启动、停止和速度调节功能。通过 PWM(脉宽调制)技术,可以精确地控制电机转速。 5. 传感器接口: 结合传感器使用时,这款晶体管可以用作信号调理电路的一部分,将微弱的输入信号放大到适合后续处理的程度。 6. 保护电路: 在过压、过流保护电路中,该晶体管能够充当关键的切换或限流组件,确保系统安全运行。 由于 NSV60601MZ4T1G 具有良好的电气特性(如高增益、低功耗及宽工作温度范围),因此非常适合工业自动化、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域中的多种应用。具体设计时需根据实际需求选择合适的外围元件并优化电路布局。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN BIPO 60V 6A SOT-223-4 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSV60601MZ4T1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 600mA,6A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
供应商器件封装 | SOT-223 |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | 100MHz |