ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PMBTA42,185
Datasheet下载- 型号： PMBTA42,185
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBTA42,185由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBTA42,185价格参考。NXP SemiconductorsPMBTA42,185封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 100mA 50MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PMBTA42,185参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBTA42,185 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBTA42,185 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型通用高压双极结型晶体管（BJT），其典型集电极-发射极击穿电压 VCEO 高达 300 V，适用于中等电流（IC 最大 500 mA）、低频高压开关与放大场景。 主要应用场景包括： 1. 高压开关电路：如继电器驱动、电磁阀控制、LED/灯串（尤其是交流侧或高压直流）的通断控制； 2. 线性稳压器与电源辅助电路：作为调整管或基准电流源，在离线式小功率适配器、充电器的反馈/偏置网络中提供高耐压支持； 3. 信号隔离与电平转换：在工业 I/O 模块中驱动光耦输入端，实现微控制器（3.3V/5V）与高压侧（如 100–250 V）之间的安全接口； 4. 老式模拟设备替代：常用于替换传统高压 BJT（如 MPSA42），应用于示波器垂直放大器、CRT 显示器扫描电路等对耐压要求高的模拟前端。 该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具备良好热稳定性与可靠性，但不适用于高频（>10 MHz）或大功率（>1 W）场合。设计时需注意基极限流电阻选取，避免过驱动导致二次击穿，并建议在高压应用中加入适当的 CE 钳位保护（如 TVS 或RC吸收）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 300V 100MA SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMBTA42,185 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 933776090185 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 30,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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