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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS1C301ET4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS1C301ET4G价格参考。ON SemiconductorNSS1C301ET4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS1C301ET4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS1C301ET4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS1C301ET4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它具有较高的可靠性和稳定性,适用于多种电子电路设计中。 该晶体管的典型应用场景包括: 1. 开关电路:NSS1C301ET4G 常用于数字电路中的开关元件,控制负载的通断,如驱动继电器、LED、小型电机等。 2. 放大电路:由于其良好的电流放大特性,可用于音频放大器、信号放大器等模拟电路中。 3. 电源管理电路:在电源转换和管理电路中作为控制元件使用,如DC-DC转换器中的开关管。 4. 嵌入式系统与工业控制:广泛应用于工业自动化设备、传感器控制模块、嵌入式控制系统中,实现信号处理与控制功能。 5. 消费类电子产品:如家用电器、智能设备中用于控制电路的通断和信号处理。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度电路设计,具有良好的热稳定性和耐用性,适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 3A 3DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSS1C301ET4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 120MHz |