Datasheet下载- 型号： 3KASMC33HE3_A/H
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3KASMC33HE3_A/H由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3KASMC33HE3_A/H价格参考。Vishay3KASMC33HE3_A/H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3KASMC33HE3_A/H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3KASMC33HE3_A/H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 3KASMC33HE3_A/H 是一款3.0 kW表面贴装型TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高能量浪涌防护设计。其击穿电压典型值为33 V（VBR ≈ 36.7–40.6 V），钳位电压约53.3 V（IPP = 56.3 A），响应时间小于1 ns，适用于严苛的工业与汽车电子环境。 主要应用场景包括： - 汽车电子系统：如车载信息娱乐（IVI）、车身控制模块（BCM）、CAN/LIN总线接口等，满足AEC-Q101认证，可抵御ISO 7637-2脉冲1/2a/3a/3b及ISO 16750-2电源线抛负载（Load Dump）瞬态（配合前端限流器件使用）； - 工业电源与接口保护：用于PLC输入/输出端口、RS-485/RS-232通信线路、DC-DC转换器输入端，防护雷击感应浪涌（IEC 61000-4-5 Level 3/4）、静电放电（ESD，IEC 61000-4-2 ±30 kV接触放电）及开关噪声； - 电源适配器与电池管理系统（BMS）：在12 V/24 V车载或工控电源输入级提供过压箝位，防止后级MOSFET、MCU或传感器因瞬态损坏。 该器件采用SMC（DO-214AB）封装，具备高可靠性、低漏电流（IR < 5 µA @ 26.4 V）和优异的温度稳定性，适合空间受限且需高鲁棒性的板级防护方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 33VWM 59VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 3KASMC33HE3_A/H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PAR® |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 185°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 850 |
| 电压-击穿（最小值） | 36.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 33V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 59V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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