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ZX5T2E6TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZX5T2E6TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZX5T2E6TA价格参考。Diodes Inc.ZX5T2E6TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 3.5A 110MHz 1.1W 表面贴装 SOT-23-6。您可以下载ZX5T2E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZX5T2E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 ZX5T2E6TA 是一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 小型表面贴装封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低饱和电压和较高的直流电流增益,具备良好的开关与放大性能,适合在低电压、低功耗环境中稳定工作。 ZX5T2E6TA 广泛应用于消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,常用于信号切换、小电流驱动、逻辑电平转换和电源管理电路中。此外,在各类小型电子模块中,如传感器接口电路、LED 驱动电路、继电器或马达控制的小信号开关应用中也表现出良好性能。 由于其高可靠性和符合 RoHS 标准的环保设计,ZX5T2E6TA 还适用于工业控制、家用电器控制板以及通信设备中的低频放大和数字开关电路。其 SOT-23 封装便于自动化贴片生产,有助于提高制造效率并降低整体成本。 综上所述,ZX5T2E6TA 主要适用于需要小型化、低功耗和高稳定性的电子系统,特别适合现代便携式设备和高密度电路板设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 20V LOW SAT SOT23-6两极晶体管 - BJT PNP 20V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZX5T2E6TA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZX5T2E6TA |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 130mV @ 350mA,3.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-6 |
其它名称 | ZX5T2E6CT |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 7.5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 110 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | SOT-23-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 1700 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3.5A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 3.5 A at 2 V, 10 at 10 A at 2 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
集电极连续电流 | - 3.5 A |
频率-跃迁 | 110MHz |