【未分类_ZTX458】封装/厂家_ZTX458中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： ZTX458
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX458由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX458价格参考。Diodes Inc.ZTX458封装/规格：未分类，暂无。您可以下载ZTX458参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZTX458 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZTX458 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括：

1. 开关应用：ZTX458 适合用作电子开关，广泛应用于各种需要快速开启和关闭的电路中，例如继电器驱动、LED 驱动以及小型电机控制等。

2. 信号放大：该型号晶体管可用于音频信号放大器中，处理低功率音频信号的放大任务，适用于便携式音响设备或耳机放大器等场景。

3. 电源管理：在一些简单的电源管理系统中，ZTX458 可以作为电流调节器或者电压调整元件使用，帮助稳定输出电压或限制电流。

4. 传感器接口：在工业自动化和家用电子产品中，ZTX458 常被用来增强来自传感器的弱电信号，以便后续处理或触发其他组件动作。

5. 脉宽调制 (PWM) 控制：用于 PWM 控制电路中，如直流电机速度控制、灯光亮度调节等领域。

6. 保护电路：可以设计成过流保护或短路保护电路的一部分，确保下游负载的安全运行。

由于 ZTX458 具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和良好的电流增益特性，因此它非常适合于要求可靠性和效率的各种通用电子项目中。同时，它的紧凑封装形式也使得它易于集成到空间受限的设计当中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN HV 400V 300MA E-LINE两极晶体管 - BJT NPN High Voltage
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX458-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZTX458
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 6mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 50mA，10V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
功率-最大值	1W
包装	散装
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Diodes Incorporated
增益带宽产品fT	50 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	E-Line-3
封装/箱体	TO-92
工厂包装数量	4000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	1 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	4,000
电压-集射极击穿（最大值）	400V
电流-集电极(Ic)（最大值）	300mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA
直流电流增益hFE最大值	100 at 1 mA at 10 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	100 at 1 mA at 10 V, 100 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	400 V
集电极—基极电压VCBO	400 V
集电极—射极饱和电压	0.5 V
集电极连续电流	0.3 A
频率-跃迁	50MHz