Datasheet下载- 型号： NSV60600MZ4T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV60600MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV60600MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSV60600MZ4T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV60600MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV60600MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV60600MZ4T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），主要应用于需要高效能和高可靠性的场合。该晶体管具有高电压和高电流的特性，适合用于电源管理和功率转换系统。 具体应用场景包括： 1. 电源转换器：在DC-DC转换器和AC-DC电源中，作为开关元件，用于提高转换效率和稳定性。 2. 马达控制：适用于工业自动化设备中的马达驱动电路，提供稳定的电流放大和开关功能。 3. 照明系统：用于LED照明或高强度放电灯（HID）的驱动电路中，支持高频开关操作。 4. 汽车电子：如车载充电系统、发动机控制模块等，满足汽车环境中对耐温和可靠性的严苛要求。 5. 工业控制：用于继电器驱动、负载开关及工业逆变器等设备中，具备良好的热稳定性和抗干扰能力。 该晶体管采用表面贴装封装，适用于自动化生产流程，广泛用于高功率密度和高效能要求的设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 6A 60V SOT223-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSV60600MZ4T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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