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  • 型号: 2SB1203S-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1203S-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1203S-E价格参考。ON Semiconductor2SB1203S-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1203S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1203S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SB1203S-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于通用开关和放大电路应用。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性,适用于多种电子设备和系统中。

主要应用场景包括:

1. 电源管理与开关电路:2SB1203S-E可用于低功率开关应用,如DC-DC转换器、负载开关和继电器驱动电路,控制电源的通断。

2. 放大电路:在音频放大器、信号放大器等模拟电路中,该晶体管可作为前置放大或驱动级使用。

3. 工业控制设备:常见于工业自动化系统、传感器接口电路和控制模块中,用于信号处理和执行机构驱动。

4. 消费类电子产品:如电视、音响、充电器等设备中,作为开关或驱动元件使用。

5. 汽车电子系统:适用于车载电源管理、灯光控制、电机驱动等场景,满足汽车电子对可靠性的要求。

该晶体管采用SOT-89封装,便于散热和安装,适合表面贴装工艺,广泛应用于中低功率场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP BIPO 5A 50V TP两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1203S-E-

数据手册

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产品型号

2SB1203S-E

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

550mV @ 150mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

140 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TP

功率-最大值

1W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

TO-251

工厂包装数量

500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1 W

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

系列

2SB1203

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

5 A

频率-跃迁

130MHz

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