Datasheet下载- 型号： KSD363YTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD363YTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD363YTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD363YTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSD363YTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSD363YTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD363YTU 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的晶体管广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大和开关功能。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器：KSD363YTU 可用于低功率音频放大器中，作为前置放大器或驱动级晶体管，提供足够的增益以增强音频信号。 2. 信号调节电路：在传感器或数据采集系统中，该晶体管可用于信号放大和调节，将微弱的输入信号放大到适合后续处理的水平。 3. 开关应用：由于其良好的开关特性，KSD363YTU 可用作简单的电子开关，控制负载（如 LED、继电器等）的通断。 4. 电源管理：在一些低功率电源管理电路中，该晶体管可以用于电流调节、电压调节或保护电路，例如过流保护。 5. 电机驱动：在小型直流电机驱动电路中，KSD363YTU 可用于驱动低功率电机，实现基本的速度控制或方向切换。 6. 脉冲调制电路：该晶体管可用于生成和放大脉冲信号，适用于通信设备或控制系统的脉宽调制（PWM）电路。 7. 射频（RF）应用：尽管不是专为高频设计，但在某些低频射频电路中，KSD363YTU 也可用于信号放大或混频。 KSD363YTU 的具体参数（如集电极-发射极饱和电压、电流增益、最大集电极电流等）决定了其适用范围。实际使用时，需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件，以确保晶体管工作在安全区域内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 120V 6A TO-220两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD363YTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSD363YTU |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1A，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 8 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 40000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | KSD363 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 零件号别名 | KSD363YTU_NL |
| 频率-跃迁 | 10MHz |
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