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STGW35NB60SD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW35NB60SD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW35NB60SD价格参考。STMicroelectronicsSTGW35NB60SD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3。您可以下载STGW35NB60SD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW35NB60SD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW35NB60SD是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结功率MOSFET系列,具体分类为晶体管 - UGBT,MOSFET - 单。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) STGW35NB60SD适用于各种开关电源设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。其600V的额定电压使其能够承受高电压输入,而低导通电阻(Rds(on))则有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于工业和消费类电机驱动应用,例如家用电器、电动工具和小型工业设备中的电机控制。其快速开关特性和低损耗特性可实现高效、稳定的电机运行。 3. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的电力逆变器中,STGW35NB60SD可用于将直流电转换为交流电。其高耐压能力和高效的开关性能确保了逆变器的可靠性和稳定性。 4. PFC(功率因数校正)电路 该器件适用于有源功率因数校正电路,帮助提升系统的功率因数并满足相关能效标准。其优异的动态性能和热稳定性非常适合此类应用。 5. 负载开关和保护电路 在需要高电压切换的应用中,STGW35NB60SD可以用作负载开关或保护元件,例如过流保护、短路保护等场景。 6. 电动车和混合动力车(EV/HEV) 虽然STGW35NB60SD不是专门为汽车级设计,但其性能特点使其可以用于某些非核心的车载电子系统,如辅助电源模块或低压控制电路。 总结来说,STGW35NB60SD凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,特别是在工业、消费电子和能源管理领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 92ns/1.1µs |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 250A |
描述 | IGBT 600V 70A 200W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 83nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGW35NB60SD |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerMESH™ |
SwitchingEnergy | 840µJ (开), 7.4mJ (关) |
TestCondition | 480V, 20A, 100 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V,20A |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF117644?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 44ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 70A |
输入类型 | 标准 |