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Datasheet下载- 型号： NJVMJD122T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
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NJVMJD122T4G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD122T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD122T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD122T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK。您可以下载NJVMJD122T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD122T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NJVMJD122T4G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用功率放大和开关应用的中高电流晶体管。该器件广泛应用于需要中等功率控制的电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压电源中的开关调节，实现高效电能转换。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的控制电路中作为驱动开关，适用于家电、工业控制设备。 3. 照明控制：用于LED驱动电路，特别是在需要脉宽调制（PWM）调光的中功率照明系统中。 4. 继电器与负载驱动：作为继电器、电磁阀等感性负载的驱动开关，提供足够的电流增益和耐压能力。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、充电器等内部电路中的信号放大或电源切换功能。 6. 汽车电子：应用于车载电源系统、车灯控制模块等对可靠性要求较高的环境，得益于其符合AEC-Q101车规认证（若为车规版本）。 NJVMJD122T4G具有较高的电流增益和良好的热稳定性，采用SOT-223封装，便于散热，适合紧凑型高密度电路设计。其最大集电极电流可达500mA，最大集射极电压为40V，适用于中低功率场景下的高效开关与放大需求。因其性能稳定、成本适中，被广泛用于工业、消费及汽车电子领域中的各类控制与驱动电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 8A 100V DPAK达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 8A 100V TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJVMJD122T4G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVMJD122T4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 8A，80mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NJVMJD122T4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 系列 | MJD122 |
| 频率-跃迁 | - |
