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KSB834WYTM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSB834WYTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSB834WYTM价格参考。Fairchild SemiconductorKSB834WYTM封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 3A 9MHz 1.5W 表面贴装 D²PAK。您可以下载KSB834WYTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSB834WYTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSB834WYTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的晶体管通常适用于多种电子电路中的信号放大和开关控制场景。以下是其可能的应用场景: 1. 电源管理: KSB834WYTM 可用于直流-直流转换器、线性稳压器等电源管理电路中,作为开关或电流调节元件。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,这款晶体管可以用作驱动级,通过控制电流来实现电机的启动、停止和速度调节。 3. 信号放大: 由于 BJT 的固有特性,KSB834WYTM 可用于音频信号放大器或其他低噪声放大电路中,提供增益以增强信号强度。 4. 开关电路: 在需要高效开关功能的场景中,例如继电器驱动、LED 驱动或负载切换,该晶体管可以作为开关元件使用。 5. 保护电路: KSB834WYTM 可用于过流保护、短路保护等电路设计中,通过检测异常电流并快速响应,保护系统免受损害。 6. 通信设备: 在某些通信模块中,这款晶体管可用于调制解调电路或射频前端的低功率部分。 7. 消费电子产品: 包括家用电器、玩具、遥控器等在内的消费电子产品中,KSB834WYTM 可用作控制或驱动元件。 具体应用场景取决于晶体管的技术参数(如最大集电极电流、电压、增益等)以及设计需求。在实际使用时,需根据电路要求选择合适的偏置条件和外围元件搭配,以确保性能稳定和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR PNP 60V 3A D2-PAK两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSB834WYTM- |
数据手册 | |
产品型号 | KSB834WYTM |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 300mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | KSB834WYTMCT |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 1.312 g |
发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 9 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | TO-263 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 30 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA (ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 200 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | KSB834 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
集电极连续电流 | - 3 A |
频率-跃迁 | 9MHz |