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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFN 19 E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFN 19 E6327价格参考。InfineonBFN 19 E6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFN 19 E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFN 19 E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFN19 E6327 是英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款双极型晶体管(BJT),主要用于高频和低噪声放大应用。该器件采用先进的硅技术制造,具有良好的高频特性和低噪声系数,适合用于无线通信系统中的关键电路部分。 典型应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:BFN19 E6327适用于GHz频段的射频信号放大,常见于蜂窝通信基站、无线接入点等设备中作为前置放大器或驱动放大器。 2. 低噪声放大器(LNA):由于其低噪声特性,常用于接收端的第一级放大电路,以提高系统的信噪比,广泛应用于无线通信、广播接收器等领域。 3. 频率合成与混频电路:在需要高稳定性和低相位噪声的频率合成器中,BFN19 E6327可作为振荡器或缓冲放大器使用。 4. 工业控制与传感器电路:在一些对响应速度和信号完整性要求较高的工业控制系统中,该晶体管可用于信号调理和处理电路中。 5. 汽车电子系统:如车载通信模块、远程信息处理系统等高频信号处理环节中也有应用。 该晶体管采用SOT-343封装,体积小、便于集成,适合高密度PCB设计。同时具备良好的热稳定性和可靠性,适应宽工作温度范围,适用于工业及汽车级应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR RF PNP 300V SOT-89两极晶体管 - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BFN 19 E6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfn19.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c1d62e0238 |
产品型号 | BFN 19 E6327 |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 2mA,20mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 30mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | PG-SOT89-4 |
其它名称 | BFN 19 E6327DKR |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Infineon Technologies |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89-4 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 1000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V |
系列 | BFN19 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
集电极—基极电压VCBO | 300 V |
集电极连续电流 | 0.2 A |
零件号别名 | BFN19E6327HTSA1 SP000010998 |
频率-跃迁 | 100MHz |