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PBSS5350D,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5350D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5350D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5350D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 3A 100MHz 750mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载PBSS5350D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5350D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PBSS5350D,115 是一款双极性晶体管(BJT),属于单晶体管器件。该型号具有较高的电流增益和良好的开关性能,适用于多种电子电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关或稳压电路中,作为高效能的功率开关元件。 2. 马达控制:在小型电机驱动电路中,用作开关或线性放大元件,实现对转速或方向的控制。 3. LED照明系统:作为恒流源或开关元件,用于调节LED亮度或驱动高功率LED。 4. 工业自动化设备:用于传感器信号放大、继电器驱动及控制电路中。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑等便携设备中的电源切换与管理电路。 6. 汽车电子:适用于车载充电系统、车灯控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该器件采用SOT223封装,具备良好的热稳定性和空间利用率,适合高密度PCB布局。其优良的性能使其广泛应用于需要高效、稳定和小型化设计的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 50V 3A 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5350D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5350D,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-4168-1 |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 750 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 500 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 500 mA at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 100 at 2 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | PBSS5350D T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |