Datasheet下载- 型号： NSV60201LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV60201LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV60201LT1G价格参考。ON SemiconductorNSV60201LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV60201LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV60201LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV60201LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。它广泛应用于多种电子电路中，主要因其高频特性和良好的开关性能。 该晶体管的主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：由于其具备良好的高频响应，NSV60201LT1G常用于射频信号放大电路中，适用于无线通信设备、射频模块等。 2. 低噪声前置放大器：在需要高灵敏度和低噪声的信号接收系统中，如无线接收器、传感器信号调理电路，该晶体管可作为前置放大器使用。 3. 开关电路：其快速开关特性使其适用于数字电路中的开关元件，如逻辑电路、驱动电路等。 4. 电源管理电路：在一些DC-DC转换器或负载开关中，用于控制电流流通。 5. 汽车电子系统：作为车用级器件，该晶体管适用于车载通信模块、传感器接口电路等对可靠性有较高要求的环境。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑中的射频前端模块、音频放大电路等。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小，适合高密度PCB布局，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 60V 4A SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV60201LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 140mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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