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BDV65BG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BDV65BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BDV65BG价格参考。ON SemiconductorBDV65BG封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 10A 125W 通孔 TO-247。您可以下载BDV65BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BDV65BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BDV65BG是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、中功率晶体管。该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压(通常可达100V以上),适用于需要较高电压耐受能力的开关和放大应用。 BDV65BG常用于工业控制设备中的功率开关电路,如继电器驱动、电机控制和电源管理模块。由于其良好的热稳定性和高电压特性,也广泛应用于电视、显示器等消费类电子设备的扫描电路和行输出级中。此外,在照明系统(如荧光灯镇流器)和电源转换器(如DC-DC变换器、开关电源)中,BDV65BG可作为关键的开关元件,实现高效能的能量转换。 该晶体管还适合在高噪声、高温等恶劣工作环境下运行,因此在汽车电子、工业自动化及电源保护电路中也有一定应用。其封装形式通常为TO-126或类似功率封装,便于安装散热片以增强散热性能,确保长时间稳定工作。 综上所述,BDV65BG主要应用于高电压开关、功率放大和电源控制等场景,特别适合对可靠性和耐压性能要求较高的中功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DARL NPN 100V 10A TO247达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BDV65BG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BDV65BG |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 20mA,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 5A,4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | BDV65BG-ND |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最大集电极截止电流 | 400 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
| 系列 | BDV65B |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | - |