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  • 型号: BDV65BG
  • 制造商: ON Semiconductor
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BDV65BG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BDV65BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BDV65BG价格参考。ON SemiconductorBDV65BG封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 10A 125W 通孔 TO-247。您可以下载BDV65BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BDV65BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的BDV65BG是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、中功率晶体管。该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压(通常可达100V以上),适用于需要较高电压耐受能力的开关和放大应用。

BDV65BG常用于工业控制设备中的功率开关电路,如继电器驱动、电机控制和电源管理模块。由于其良好的热稳定性和高电压特性,也广泛应用于电视、显示器等消费类电子设备的扫描电路和行输出级中。此外,在照明系统(如荧光灯镇流器)和电源转换器(如DC-DC变换器、开关电源)中,BDV65BG可作为关键的开关元件,实现高效能的能量转换。

该晶体管还适合在高噪声、高温等恶劣工作环境下运行,因此在汽车电子、工业自动化及电源保护电路中也有一定应用。其封装形式通常为TO-126或类似功率封装,便于安装散热片以增强散热性能,确保长时间稳定工作。

综上所述,BDV65BG主要应用于高电压开关、功率放大和电源控制等场景,特别适合对可靠性和耐压性能要求较高的中功率电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL NPN 100V 10A TO247达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BDV65BG-

数据手册

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产品型号

BDV65BG

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

2V @ 20mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 5A,4V

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

TO-247

其它名称

BDV65BG-ND
BDV65BGOS

功率-最大值

125W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

10 A

最大集电极截止电流

400 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

1mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

1000

系列

BDV65B

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

频率-跃迁

-

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