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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJF31CG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJF31CG价格参考。ON SemiconductorMJF31CG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJF31CG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJF31CG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的晶体管型号MJF31CG属于双极型晶体管(BJT)类别,是一种NPN型晶体管,常用于功率放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流和功率承受能力,适用于需要高可靠性和稳定性的场景。 其典型应用场景包括: 1. 功率放大器:用于音频放大器或射频(RF)功率放大器中,驱动扬声器或高频信号放大。 2. 开关电路:在电源管理、马达驱动或继电器控制等开关应用中,作为高电流负载的控制元件。 3. 工业控制设备:用于自动化控制系统、变频器或电源逆变器中,实现对电流和电压的高效控制。 4. 消费类电子产品:如电视、音响设备、电源适配器等,作为功率调节和信号放大部分的关键元件。 5. 汽车电子系统:应用于车载音响、灯光控制或车载充电系统中,满足汽车环境对稳定性和耐用性的要求。 该晶体管具有良好的热稳定性和高增益特性,适合在中高功率应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR NPN 3A 100V TO-220FP两极晶体管 - BJT 3A 100V 30W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJF31CG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJF31CG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | MJF31CG-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 28 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 300µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MJF31C |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |