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IRGIB15B60KD1P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGIB15B60KD1P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGIB15B60KD1P价格参考。International RectifierIRGIB15B60KD1P封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 19A 52W Through Hole TO-220AB Full-Pak。您可以下载IRGIB15B60KD1P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGIB15B60KD1P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRGIB15B60KD1P 的器件属于 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于晶体管中的功率器件类别。该器件为单管封装,常用于高电压和高电流的应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如开关电源(SMPS)、DC-AC逆变器,适用于需要高效能与高可靠性的场合。 2. 电机驱动:广泛应用于工业电机控制、变频器和伺服驱动器中,用于实现高效、精确的电机控制。 3. 家电领域:如电磁炉、微波炉、空调等家用电器中的功率控制模块。 4. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换模块,适用于中低功率等级的光伏逆变系统。 5. 电动车相关应用:如车载充电器、辅助电源系统等,适用于电动车内部的功率转换需求。 该器件具有良好的热稳定性和较高的开关效率,适合在中高功率、高频工作的环境中使用,具备较强的可靠性和耐用性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 30ns/173ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 38A |
| 描述 | IGBT 600V 19A 52W TO220FPIGBT 晶体管 600V Low-Vceon |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 56nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGIB15B60KD1P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRGIB15B60KD1P |
| SwitchingEnergy | 127µJ (开), 334µJ (关) |
| TestCondition | 400V,15A,22 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,15A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 功率-最大值 | 52W |
| 功率耗散 | 52 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 67ns |
| 商标 | International Rectifier |
| 在25C的连续集电极电流 | 19 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 19A |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |