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  • 型号: FDW2512NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2512NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2512NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2512NZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDW2512NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDW2512NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDW2512NZ 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列,采用紧凑的8引脚SOIC封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅19mΩ @ Vgs=4.5V)、快速开关特性及100%经过雪崩能量测试等优势。其典型应用场景包括:

- DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的高/低端开关,尤其适用于负载点(POL)电源、主板VRM模块及便携设备电源管理,提升效率并减小发热。

- 电池供电设备:如智能手机、平板电脑、TWS耳机等中,用于电池保护电路、负载开关或背光LED驱动控制,得益于其低阈值电压(Vgs(th) 1.0–2.2V),可被3.3V或甚至2.5V逻辑直接驱动。

- 电机驱动与负载控制:在小型直流电机(如风扇、振动马达)、电磁阀或继电器驱动电路中,作为半桥或独立开关使用,实现高效PWM调速与启停控制。

- 热插拔与电源排序:在服务器、网络设备等多电源系统中,用作电源轨的受控上电/断电开关,配合外部限流电路提供浪涌电流抑制与过流保护功能。

该器件集成双MOSFET,节省PCB面积,简化布局,适合空间受限、高能效要求的中低功率(≤5A连续电流)应用。需注意其最大Vds为30V,不适用于高压场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOPMOSFET 2.5V TSSOP8 DUAL NCH SPECIFIED TRENCH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDW2512NZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDW2512NZ

Pd-PowerDissipation

1.6 W

Pd-功率耗散

1.6 W

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

57 ns

下降时间

57 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

670pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 6A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-TSSOP

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

28 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

封装/箱体

TSSOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

6 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A

系列

FDW2512NZ

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Source

零件号别名

FDW2512NZ_NL

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