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- 型号： VMO650-01F
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO650-01F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO650-01F价格参考。IXYSVMO650-01F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO650-01F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO650-01F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMO650-01F 是IXYS Corporation（现属Littelfuse）推出的高压、高速功率MOSFET，属于N沟道增强型垂直双扩散（VDMOS）结构。其典型参数包括：漏源击穿电压V(BR)DSS = 650 V，连续漏极电流ID = 24 A（Tc=25°C），导通电阻RDS(on) ≤ 0.22 Ω（典型值），具备快速开关特性与低栅极电荷（Qg ≈ 75 nC），并内置反并联快恢复体二极管。 该器件主要应用于中高功率、高频开关场景，典型包括： 1. 工业电源：如开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、PFC（功率因数校正）电路中的升压/主开关管； 2. 电机驱动：适用于中小功率变频器、伺服驱动器及BLDC电机控制器的逆变桥臂开关； 3. 照明电子：高压LED驱动电源及HID镇流器中的主开关元件； 4. 不间断电源（UPS）与储能系统：用于DC/AC逆变或电池充放电管理回路； 5. 感应加热与电磁炉：作为谐振槽路中的高频功率开关（需配合驱动与散热设计）。 其高耐压、低导通损耗及良好dv/dt抗扰性，使其在要求可靠性和效率的工业级应用中表现优异。使用时需注意栅极驱动电压（推荐10–15 V）、热管理（建议采用低热阻散热器）及PCB布局以抑制寄生振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 690A MODULE |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMO650-01F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6V @ 130mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 59000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | Y3-DCB |
| 其它名称 | Q1434129 |
| 功率-最大值 | 2500W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-DCB |
| 标准包装 | 2 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 690A |
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