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- 型号： T1G6003028-FS
- 制造商： TriQuint Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供T1G6003028-FS由TriQuint Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 T1G6003028-FS价格参考。TriQuint SemiconductorT1G6003028-FS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载T1G6003028-FS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有T1G6003028-FS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | TriQuint Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频JFET晶体管 DC-6GHz 28Volt 30W GaN on SiC HEMT |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,TriQuint Semiconductor T1G6003028-FS |
| 产品型号 | T1G6003028-FS |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 功率耗散 | 30 W |
| 商标 | TriQuint Semiconductor |
| 增益 | 14 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | GaN SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大工作温度 | + 205 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 80 V |
| 类型 | GaN SiC HEMT |
| 系列 | T1G |
| 零件号别名 | 1080206 |
| 频率 | 6 GHz |
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