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- 型号： R1LP5256ESP-5SR#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESP-5SR#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESP-5SR#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESP-5SR#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESP-5SR#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESP-5SR#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP5256ESP-5SR#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为512K × 8 bit（即4 Mbit），访问时间仅55 ns，采用3.3 V单电源供电，封装为44-pin TSOP-II。该器件具备低功耗特性（待机电流典型值仅1 μA），支持CE（片选）、OE（输出使能）和WE（写使能）控制，兼容标准并行SRAM接口。 其主要应用场景包括：工业自动化设备中的实时数据缓存与暂存（如PLC、HMI、运动控制器）；通信设备（如路由器、基站接口模块）中用于帧缓冲、协议处理中间数据存储；嵌入式系统（如医疗仪器、测试测量设备）中需快速读写、零等待状态运行的临时数据区；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示控制器等对可靠性与宽温（-40°C ~ +85°C）有要求的场景。因其无内置电池、无需刷新、数据保持稳定，适用于需确定性响应和高可靠性的关键缓存应用，但不适用于大容量长期存储（非Flash/EEPROM）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESP-5SR#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |
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