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详细数据请看参考数据手册
- 型号： R1LP5256ESP-5SR#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESP-5SR#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESP-5SR#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESP-5SR#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESP-5SR#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESP-5SR#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的R1LP5256ESP-5SR#B0是一款低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K × 8位（4兆比特），工作电压为3.3V，访问时间低至55纳秒，具备高速读写能力。该器件广泛应用于对稳定性和实时性要求较高的工业与通信领域。 典型应用场景包括：工业自动化控制系统中的数据缓存与临时存储，如PLC（可编程逻辑控制器）和人机界面设备；网络通信设备中的缓冲存储，如路由器、交换机和基站模块，用于快速处理传输数据；嵌入式系统中作为微处理器或DSP的外部高速缓存，提升系统响应速度；此外，也适用于医疗设备、测试仪器及航空电子设备等需要高可靠性和宽温工作的环境。 R1LP5256ESP-5SR#B0采用小型化表面贴装封装（如SOIC或TSOP），适合空间受限的设计，并具备良好的抗干扰能力和稳定性，可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内可靠运行，满足严苛环境下的应用需求。其无需刷新、操作简单的特点，使其成为替代DRAM的优选方案，尤其适用于不能接受延迟或数据丢失的关键系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESP-5SR#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |
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