Datasheet下载- 型号： PDTA113ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113ET,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA113ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA113ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA113ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管，BRT），集成了一个 10 kΩ 输入电阻（R1）和一个 10 kΩ 上拉/反馈电阻（R2），实现 1:1 的电阻比（即 R1 = R2 = 10 kΩ），典型电流增益（hFE）约 30–120（在 Ic = 10 mA 时）。其主要应用场景包括： - 逻辑电平接口与信号转换：常用于微控制器（如 STM32、ESP32、Arduino）IO口驱动中小功率负载，将 3.3 V/5 V TTL/CMOS 逻辑电平安全、可靠地转换为开关控制信号，无需外接基极限流电阻，简化 PCB 设计。 - LED 驱动：适用于中低电流 LED（≤100 mA）的恒流开关控制，广泛应用于状态指示灯、背光控制及数码管段选驱动等消费电子与工业人机界面。 - 继电器/小功率电磁阀驱动：作为缓冲开关，隔离低压控制电路与感性负载，配合续流二极管可安全驱动线圈电流 ≤100 mA 的小型信号继电器或蜂鸣器。 - 电源使能（EN）控制与负载开关：用于 DC-DC 转换器或 LDO 的使能端控制，实现系统级电源管理与低功耗唤醒功能。 - 替代传统分立 BJT + 偏置电阻方案：节省 2 个外围电阻、减小占板面积、提升生产良率与一致性，适用于空间受限的便携设备（如 TWS 耳机充电仓、智能穿戴模块）。 该器件采用 SOT-23 小型封装，支持无铅回流焊，工作结温范围 -65°C 至 +150°C，具备良好热稳定性和 ESD 防护能力（HBM ≥4 kV），适合工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、家电及物联网终端等中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA113ET,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 1.5mA，30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 40mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934058259215 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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