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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1041DV33-10ZSXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1041DV33-10ZSXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1041DV33-10ZSXI封装/规格:存储器, SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 10ns 44-TSOP II。您可以下载CY7C1041DV33-10ZSXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1041DV33-10ZSXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1041DV33-10ZSXI是赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),属于异步CMOS静态存储器系列。该型号容量为256K × 16位(即4兆比特),工作电压为3.3V,访问时间低至10纳秒,具有高性能和低功耗的特点。 该器件广泛应用于对数据读写速度和系统稳定性要求较高的场景。常见应用包括通信设备中的缓冲存储,如网络交换机、路由器和基站模块;工业控制领域中的实时数据处理单元,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备;以及高端消费类电子产品,如数字电视、机顶盒和多媒体处理平台。此外,由于其高可靠性和宽温度范围支持(工业级温度),也适用于恶劣环境下的嵌入式系统和汽车电子控制系统。 CY7C1041DV33-10ZSXI采用小型化封装(如SOJ或TSOP),便于在空间受限的电路板上布局,适合高密度设计。其异步接口兼容多种微处理器和控制器,易于集成到现有系统中。总体而言,这款SRAM适用于需要快速、稳定、持续数据存取的中高端电子系统,是传统异步存储架构中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP静态随机存取存储器 4Mb 10ns 256K x 16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1041DV33-10ZSXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=46385 |
| 产品型号 | CY7C1041DV33-10ZSXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47158http://www.cypress.com/?docID=47157http://www.cypress.com/?docID=48115http://www.cypress.com/?docID=49741 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 其它名称 | 428-1921 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4M (256K x 16) |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 90 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C1041DV33 |
| 组织 | 256 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |