Datasheet下载- 型号： PBRN113ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBRN113ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBRN113ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPBRN113ET,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBRN113ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBRN113ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBRN113ET,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别。该型号的晶体管具有以下应用场景： 1. 信号放大：PBRN113ET,215 适合用于低噪声、高增益的信号放大电路中，例如音频设备中的前置放大器或射频（RF）信号放大器。其预偏置特性能够简化设计，提高系统的稳定性和可靠性。 2. 开关应用：该晶体管可用于各种开关电路，如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。其快速开关特性和低饱和电压使其成为高效开关的理想选择。 3. 电源管理：在一些简单的线性稳压器或电流限制电路中，PBRN113ET,215 可用作关键元件，帮助调节输出电压或限制电流以保护负载。 4. 传感器接口：在传感器信号调理电路中，该晶体管可以用来放大微弱的传感器输出信号，适用于温度、压力或其他模拟信号的处理。 5. 通信设备：由于其良好的频率响应特性，PBRN113ET,215 也可用于通信系统中的信号调制与解调电路。 6. 消费电子产品：广泛应用于家用电器、玩具、遥控器等需要简单控制和信号处理的小型电子设备中。 总之，PBRN113ET,215 凭借其预偏置设计和稳定的性能，非常适合需要精确控制和高效信号处理的各种低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBRN113ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBRN113ET,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.15V @ 8mA，800mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 300mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7254-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 700 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 零件号别名 | PBRN113ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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