Datasheet下载- 型号： NTF3055-100T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTF3055-100T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTF3055-100T1G价格参考￥1.75-￥1.86。ON SemiconductorNTF3055-100T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTF3055-100T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTF3055-100T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTF3055-100T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：NTF3055-100T1G 可用于开关电源中的功率开关，实现高效的电压转换。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器件，降低功耗并提高效率。 - 负载开关：用于动态控制电路的开启与关闭，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：在电机驱动器中用作功率级开关，支持高效的速度和方向控制。 - 步进电机控制：通过 PWM（脉宽调制）技术调节电流，实现精确的运动控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于电池组的充放电保护电路，防止过充、过放或短路。 - 均衡电路：在多节电池系统中，用于平衡各节电池的电压。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷控制器、座椅调节器等需要高效功率控制的场合。 - LED 驱动：为汽车照明系统提供稳定电流，确保 LED 的亮度一致性和长寿命。 5. 工业自动化 - 继电器替代：利用 MOSFET 的快速开关特性，取代传统机械继电器以减少磨损和噪声。 - 传感器接口：用于驱动工业传感器或执行器，提供稳定的信号传输和功率输出。 6. 消费类电子产品 - 音频放大器：在 D 类放大器中作为输出级开关，提供高保真音频输出。 - 充电器和适配器：用于便携式设备的快速充电解决方案，提升充电效率。 7. 通信设备 - 基站电源：在通信基础设施中，用于高效能的电源分配和管理。 - 信号调节：在射频 (RF) 和微波电路中，用于功率放大或信号切换。 总结 NTF3055-100T1G 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、汽车电子、工业自动化以及消费类电子产品等领域。其低导通电阻和高效率特性使其成为现代电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223MOSFET 60V 3A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTF3055-100T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTF3055-100T1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NTF3055-100T1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | NTF3055-100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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