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NSS12100UW3TCG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12100UW3TCG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12100UW3TCG价格参考¥1.80-¥1.80。ON SemiconductorNSS12100UW3TCG封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 1A 200MHz 740mW 表面贴装 3-WDFN(2x2)。您可以下载NSS12100UW3TCG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS12100UW3TCG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS12100UW3TCG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管常用于高频和中功率应用,具有良好的开关特性和频率响应。 其主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:适用于无线通信设备中的信号放大,如基站、无线接入点等。 2. 开关电路:用于数字电路或电源管理电路中作为高速开关元件。 3. 功率放大器:在音频或射频功率放大电路中作为驱动级或输出级使用。 4. 工业控制设备:如变频器、伺服驱动器等工业自动化设备中的功率控制部分。 5. 消费类电子产品:如电源适配器、LED驱动电路、充电器等产品中的开关电源部分。 该晶体管采用SOT-323封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度电路设计。由于其良好的高频性能,适用于需要快速开关或信号放大的场合。在设计中常用于替代传统的小功率BJT,以提升系统效率和响应速度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 1A 12V WDFN3两极晶体管 - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS12100UW3TCG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS12100UW3TCG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 440mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-WDFN(2x2) |
| 其它名称 | NSS12100UW3TCGOSDKR |
| 功率-最大值 | 740mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1100 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 75 at 1 A at 2 V |
| 系列 | NSS12100UW |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 12 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |