Datasheet下载- 型号： 2SD1207S
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1207S由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1207S价格参考。ON Semiconductor2SD1207S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SD1207S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1207S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SD1207S的晶体管，属于安森美半导体（ON Semiconductor）的双极性晶体管（BJT）产品线，是一款NPN型晶体管。该晶体管常用于中功率放大和开关应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电源开关等电路中，作为开关元件控制电流流通。 2. 马达驱动电路：在小型电机或风扇控制电路中，作为驱动晶体管使用。 3. 音频放大器：用于音频功率放大电路中的前级或驱动级放大。 4. 继电器和LED驱动：用于控制继电器线圈或高亮度LED的开关操作。 5. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口电路中，作为信号放大或隔离开关使用。 该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在中等功率条件下工作。其SOT-223封装形式有助于良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在现代电子设备中集成使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 2A 50V MP两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1207S- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1207S |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-MP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 封装/箱体 | MP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 系列 | 2SD1207 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.15 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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